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    伯東貿(mào)易(深圳)有限公司

    電子元器件,儀器儀表

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    Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C

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    更新日期2020-12-01 16:27

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    聯(lián) 系  人:張婷婷(女士)  

    聯(lián)系固話:0755-25473928

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    商品信息

    基本參數(shù)

    品牌:

    未填

    所在地:

    廣東 深圳市

    起訂:

    未填

    供貨總量:

    未填

    有效期至:

    長期有效
    詳細(xì)說明
      

    產(chǎn)品描述

     

    上海伯東日本原裝進口適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子刻蝕機, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻

    Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 產(chǎn)品優(yōu)勢:


    Hakuto 離子蝕刻機 IBE 主要優(yōu)點:
    1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
    2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
    3. 配置使用美國考夫曼離子源
    4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
    5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
    6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
    7. 機臺設(shè)計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.

    Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術(shù)參數(shù):

    Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C技術(shù)參數(shù):

    portant;">

    離子蝕刻機φ4 inch X 6片

    portant;">

    基板尺寸

    portant;">

    < Ф3 inch X 8片
    < Ф4 inch X 6片
    < Ф8 inch X 1片

    portant;">

    NS 離子刻蝕機 可選

    portant;">

    樣品臺

    portant;">

    樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉(zhuǎn)

    portant;">

    離子源

    portant;">

    20cm 考夫曼離子源

    portant;">

    均勻性

    portant;">

    ±5% for 8”Ф

    portant;">

    硅片刻蝕率

    portant;">

    20 nm/min

    portant;">

    溫度

    portant;">

    <100

    Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 組成:

    Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 組成:
    NS 離子蝕刻機

    Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 蝕刻速率:

     

     

    Hakuto 離子蝕刻機通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
    NS離子蝕刻機

     

     

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