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更新日期2016-08-31 17:20
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品牌: |
Ractron,Citizen,Cmac,NDK,Rakon,Raltron,TDK,Vectron |
所在地: |
廣東 深圳市 |
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長期有效 |
一、石英晶體諧振器:
A、主要指標
1.頻率 f
2.頻率公差
3.切型 AT BT SC
4.泛音次數(shù) 基頻 三次泛音 五次泛音 七次泛音
5.電阻 Rr RL
6.負載電容 CL
7.靜電容 Co
8.動態(tài)電容 C1
9.電容比 r =Co / C1
10.頻率牽移 Ts ( ppm / pF )
11.Q值
12.DLD
13.老化
14.寄生抑制
15.頻率溫度特性(F-T)
B、有源晶振與無源晶振
石英晶片之所以能當為振蕩器使用,是基于它的壓電效應:在晶片的兩個極上加一電場,
會使晶體產(chǎn)生機械變形;在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會產(chǎn)生機械振動,同時機械
變形振動又會產(chǎn)生交變電場,雖然這種交變電場的電壓極其微弱,但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時,機械振動的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。
二、晶體振蕩器:晶振,晶體振蕩器
A、晶體振蕩器是一種時間/頻率器件,由晶體諧振器和振蕩電路組成。
B、晶體振蕩器的分類:
D、晶體振蕩器主要技術指標:
1)標稱頻率
2)中心頻率偏差
3)頻率調(diào)整范圍(機械或壓控)
4)工作溫度范圍
5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性度、壓控輸入阻抗)
6)輸出波形(正弦波; 方波:上升/下降沿時間、占空比、高/低電平)
7)工作電流、功耗
8)電壓變化頻率穩(wěn)定度
9)負載變化頻率穩(wěn)定度
10)溫度頻率穩(wěn)定度
11)負載能力
12)頻率老化(長期頻率穩(wěn)定度)
13)短期頻率穩(wěn)定度
14)相位噪聲
15)開機特性
E、晶體振蕩器-SPXO:
簡單封裝晶體振蕩器,沒有電壓控制和溫度補償,頻率溫度特性取決于晶體單元,
稱為SPXO(Simple Packaged Crystal Oscillator )或時鐘(Clock)。
F、溫度補償晶體振蕩器-TCXO:
1.直接溫度補償晶體振蕩器
2.間接溫度補償晶體振蕩器
G、恒溫晶體振蕩器 - OCXO
近年來,由于技術的發(fā)展,OCXO多采用功率器件直接加熱的方法,只有一些指標要求很高的OCXO才使用恒溫槽。
H、OCXO主要技術指標定義的IEC標準
1)標稱頻率(Nominal frequency)
振蕩器標明的工作頻率。
2)中心頻率偏差 (Frequency accuracy)
在基準點溫度環(huán)境(25 ± 2 ℃ )和中心控制電壓時,測得的頻率值與標稱頻率的偏差。
3)頻率調(diào)諧范圍(Frequency adjustment range)
用某種可變元件使振蕩器頻率能夠改變的頻率范圍。
注:調(diào)整的目的:
1)把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。
2)由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后,能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。
調(diào)整的方式:
3)調(diào)節(jié)方式有機械調(diào)節(jié)和電壓調(diào)節(jié)兩種
4)可變元件通常指變?nèi)荻O管、多圈電位器等。
4)工作溫度范圍 (Operating temp. range)
振蕩器能夠正常工作,其頻率及其它輸出信號性能均不超過規(guī)定的允許偏差的溫度范圍。
注:1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時頻率溫度穩(wěn)定度越難實現(xiàn)。
2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點設置越高, 晶體成本上升越多。
5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)
當控制電壓變化時,引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
注:1)電壓范圍:用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0~3.3V, 0.3~3.0V, 0~ 5V, 0.5~4.5V等。
2)壓控范圍:壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時候,振蕩器的頻率能夠變化的范圍。
3)極性:當振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時候,壓控極性為正極性,反之為負極性。
4)線性度:理想的壓控電壓和頻率變化量的關系是線性的, 但實際上總會有所偏差, 這個偏差就是
表征理想程度的壓控線性度, 通常用百分比表示。
5)如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號, 或者對輸出頻率有嚴格的控制要求時, 通常振蕩器可以自己給
出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準的電壓供壓控電壓用, 這個精準的電壓就是參考電壓。
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