無錫科微半導體有限司

無錫科微IGBT、、晶閘管，日立能源IGBT、GTO、IGCT等，上海瞻芯SiC分立器件等

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IV3Q12013T4Z

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產(chǎn)品品牌瞻芯電子

最小起訂≥1 只

供貨總量9999 只

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更新日期2024-09-28 09:28

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商品信息

基本參數(shù)

品牌：	瞻芯電子
所在地：	江蘇無錫市
起訂：	≥1 只
供貨總量：	9999 只
有效期至：	長期有效
VDS：	1200V
Ron：	13.5mΩ
品牌：	瞻芯電子

詳細說明

IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET
特性
·第三代碳化硅MOSFET技術與+15+18V門驅(qū)動
·高阻塞電壓低電阻
·高速開關低電容
·高操作結溫度能力
·非常快，健壯和軟恢復固有身體二極管
·開爾文門輸入緩解驅(qū)動電路設計
·AEC-Q101合格
應用
·電動汽車電機驅(qū)動器
·太陽能MPPT和逆變器
·高壓直流/直流轉換器
·開關模式電源

瞻芯電子提供以SiC功率器件、SiC驅(qū)動芯片、SiC模塊為核心的功率轉換解決方案，適用于：風能逆變、光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、電機驅(qū)動、充電樁等領域

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