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    國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代,儲(chǔ)能變流器PCS三電平碳化硅SiC MOSFET模塊,T型三電平碳化硅模塊,ANPC三…

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    BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC MOSFET特約代理

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    更新日期2023-05-24 16:01

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    聯(lián)系固話:0512-57020726

    聯(lián)系地址:昆山市長江中路198號(hào)裕元新天地廣場二號(hào)樓8樓

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    BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT,BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲(chǔ)一體機(jī),儲(chǔ)能變流器,儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊,儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路,光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。

    基本半導(dǎo)體全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級(jí)充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng),機(jī)車輔助電源,儲(chǔ)能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī),超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器,高速電機(jī)變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓?fù)淠孀兡K。儲(chǔ)能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲(chǔ)碳化硅MOSFET。

    基本半導(dǎo)體再度亮相全球最大功率半導(dǎo)體展會(huì)——PCIM Europe 2023,在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升,產(chǎn)品類型進(jìn)一步豐富,助力新能源汽車、直流快充、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

    碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。

    基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。

    基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
    更低比導(dǎo)通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案,比導(dǎo)通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升。

    更低器件開關(guān)損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

    更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

    更高工作結(jié)溫:第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C,提高器件高溫工作能力。

    基本半導(dǎo)體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2M1000170H,B2M1000170Z,B2M1000170R,B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,半橋SiC MOSFET模塊,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
    B2M030120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
    B2M0242000Z國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R024M1H。
    B2M035120YP,B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
    B2M020120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
    B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
    B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
    B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A

    NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。近年來隨著電力電子技術(shù)在電力行業(yè)的發(fā)展,NPC三電平技術(shù)開始越來越多的應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域,包括光伏逆變器、風(fēng)電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應(yīng)用。NPC拓?fù)涑S玫挠袃煞N結(jié)構(gòu),就是我們常說的“I”字型(也稱NPC1)和“T”字型(也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是一種NPC1的改進(jìn)型,這些年隨著器件的發(fā)展,ANPC也開始有一些適合的應(yīng)用。

    在分時(shí)電價(jià)完善、峰谷電價(jià)差拉大、限電事件頻發(fā)等多重因素驅(qū)動(dòng)下,工商業(yè)儲(chǔ)能的經(jīng)濟(jì)性明顯提升。工商業(yè)儲(chǔ)能是用戶側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)的主要類型之一,可以大化提升光伏自發(fā)自用率,降低工商業(yè)業(yè)主的電費(fèi)開支,助力企業(yè)節(jié)能減排。
    工商業(yè)儲(chǔ)能裝機(jī)有望在政策鼓勵(lì)、限電刺激、電價(jià)改革等利好因素刺激下進(jìn)入高速增長期,復(fù)合增速有望持續(xù)飆升。 

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