無錫科微半導(dǎo)體有限司

無錫科微IGBT、、晶閘管，日立能源IGBT、GTO、IGCT等，上海瞻芯SiC分立器件等

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供應(yīng)IV3Q12013T4Z

產(chǎn)品價格面議

產(chǎn)品品牌瞻芯電子

最小起訂≥1 只

供貨總量9999 只

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更新日期2024-09-07 09:15

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聯(lián) 系人：袁先生(先生)

聯(lián)系固話：0510-88688160

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商品信息

基本參數(shù)

品牌：	瞻芯電子
所在地：	江蘇無錫市
起訂：	≥1 只
供貨總量：	9999 只
有效期至：	長期有效
VDS：	1200V
Ron：	80mΩ
品牌：	瞻芯電子

詳細(xì)說明

IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET
特性
·第三代碳化硅MOSFET技術(shù)與+15+18V門驅(qū)動
·高阻塞電壓低電阻
·高速開關(guān)低電容
·高操作結(jié)溫度能力
·非常快，健壯和軟恢復(fù)固有身體二極管
·開爾文門輸入緩解驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
·AEC-Q101合格
應(yīng)用
·電動汽車電機(jī)驅(qū)動器
·太陽能MPPT和逆變器
·高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器
·開關(guān)模式電源

瞻芯電子提供以SiC功率器件、SiC驅(qū)動芯片、SiC模塊為核心的功率轉(zhuǎn)換解決方案，適用于：風(fēng)能逆變、光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動、充電樁等領(lǐng)域

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