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專業(yè)分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導體碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導體單管IGBT,BASiC基本半導體IGBT模塊,BASiC基本半導體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊,單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片(帶VCE保護)BTD3011,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機,儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機,PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車載充電器,熱管理電動壓縮機驅(qū)動器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機驅(qū)動,大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲能變流器,變頻器,變槳伺服驅(qū)動輔助電源,高頻逆變焊機,高頻伺服驅(qū)動,AI服務器電源,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,機房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
基本半導體隔離驅(qū)動IC產(chǎn)品主要有BTD21520xx是一款雙通道隔離門極驅(qū)動芯片,輸出拉灌峰值電流典型值4A/6A,絕緣電壓高達5000Vrms@SOW14封裝、3000Vrms@SOP16封裝;抗干擾能力強,高達100V/ns;低傳輸延時至45ns;分別提供 3 種管腳配置:BTD21520M提供禁用管腳(DIS)和死區(qū)設(shè)置(DT),BTD21520S提供禁用管腳(DIS), BTD21520E 提供單一PWM輸入;副邊VDD欠壓保護點兩種可選:分別是5.7V和8.2V。主要規(guī)格有BTD21520MAWR,BTD21520MBWR,BTD21520SAWR,BTD21520SBWR,BTD21520EAWR,BTD21520EBWR,?BTD21520MAPR,BTD21520MBPR,BTD21520SAPR,BTD21520SBPR,BTD21520EAPR,BTD21520EBPR,BTD5350xx是一款單通道隔離門極驅(qū)動IC,輸出峰值電流典型值10A, 絕緣電壓高達5000Vrms@SOW8封裝,3000Vrms@SOP8封裝;抗干擾能力強,高達100V/ns;傳輸延時低至60ns;分別提供 3 種管腳配置:BTD5350M 提供門極米勒鉗位功能,BTD5350S 提供獨立的開通和關(guān)斷輸出管腳,BTD5350E 對副邊的正電源配置欠壓保護功能;副邊VCC欠壓保護點兩種可選:分別是8V和11V。主要規(guī)格有BTD5350MBPR,BTD5350MCPR,BTD5350MBWR,BTD5350MCWR,BTD5350SBPR,BTD5350SCPR,BTD5350SBWR?,BTD5350SCWR,BTD5350EBPR,BTD5350ECPR,BTD5350EBWR,BTD5350ECWR,BTD3011R是一款單通道智能隔離門極驅(qū)動芯片,采用磁隔離技術(shù);絕緣電壓高達5000Vrms@SOW16封裝;輸出峰值電流典型值15A;管腳功能集成功率器件短路保護和短路保護后軟關(guān)斷功能,集成原副邊電源欠壓保護;集成副邊電源穩(wěn)壓器功能,此穩(wěn)壓器可以根據(jù)副邊電源輸入電壓,使驅(qū)動管腳自動分配正負壓,適用在給電壓等級1200V以內(nèi)的IGBT或者碳化硅 MOSFET驅(qū)動。BTL2752x 系列是一款雙通道、高速、低邊門極驅(qū)動器,輸出側(cè)采用軌到軌方式;拉電流與灌電流能力可高達 5A,上升和下降時間低至 7ns 與 6ns;芯片的兩個通道可并聯(lián)使用,以增強驅(qū)動電流能力;信號輸入腳最大可抗-5V的持續(xù)負壓,支持4個標準邏輯選項:BTL27523帶使能雙路反相,BTL27523B不帶使能雙路反相 和 BTL27524帶使能雙路同相,BTL27524B不帶使能雙路同相。主要規(guī)格:BTL27523R,BTL27523BR,BTL27524R,BTL27524BR
專業(yè)分銷基本半導體全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動,機車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅(qū)動器,高速電機變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。
基本半導體再度亮相全球功率半導體展會——PCIM Europe 2023,在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升,產(chǎn)品類型進一步豐富,助力新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。
LLC,移相全橋等應用實現(xiàn)ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲能的大小,值越大越難實現(xiàn)ZVS;更快的關(guān)斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗,影響體二極管的續(xù)流維持時間或者開關(guān)兩端電壓能達到的最低值;因為續(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗.在這些參數(shù)方面,B2M第二代碳化硅MOSFET跟競品比,B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小,需要的死區(qū)時間初始電流小;B2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會強一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競品有較多優(yōu)勢,能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風險。綜合來看,比起競品,LLC,移相全橋應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會更好.
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統(tǒng)中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進控制、高效率 DC/DC 拓撲與控制,雙向 AC/DC、電動汽車車載充電機(OBC)/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ,雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓撲與控制,直流配網(wǎng)的電力電子變換器。
基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,基本半導體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。
基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計方案,比導通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升。
更低器件開關(guān)損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串擾行為下誤導通的風險。
更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。
更高工作結(jié)溫:第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達到175°C,提高器件高溫工作能力。
基本半導體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2M1000170H,B2M1000170Z,B2M1000170R,B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,半橋SiC MOSFET模塊,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M035120YP國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K,意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K,意法SCT015W120G3-4AG。
B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S,C3M0075120K-A,意法SCT070W120G3-4AG。
LLC,移相全橋等應用實現(xiàn)ZVS主要和功率MOSFET的Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲能的大小,值越大越難實現(xiàn)ZVS;更快的關(guān)斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗,影響體二極管的續(xù)流維持時間或者開關(guān)兩端電壓能達到的最低值;因為續(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗。B2M跟競品比,B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更?。?15pF),需要的死區(qū)時間初始電流?。籅2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力更強。B2M第二代碳化硅MOSFET的體二極管的Vf和trr比競品優(yōu)勢明顯,能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風險。綜合來看,相對競品,在LLC,移相全橋型電源應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會更好.
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公司名稱: |
上海世輝SiC碳化硅MOSFET功率模塊業(yè)務部 |
公司類型: |
企業(yè)單位 (服務商) |
所 在 地: |
上海 |
公司規(guī)模: |
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注冊資本: |
未填寫 |
注冊年份: |
2002 |
資料認證: |
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保 證 金: |
已繳納 0.00 元 |
經(jīng)營模式: |
服務商 |
經(jīng)營范圍: |
SiC MOSFET Power module,基半功率模塊,基半兩單元功率模塊,基半六單元功率模塊,BASiCsemi,基半代理商,碳化硅功率模塊升級替代IGBT模塊,BASiC Semiconductor,電力電子,碳化硅MOSFET功率模塊,SiC碳化硅功率模塊,上海SiC MOSFET功率模塊,SiC碳化硅MOSFET上海代理,基本半導體上海代理,LLC諧振SiC碳化硅MOSFET,國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊,光伏MPPT碳化硅MOSFET,伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,逆變焊機國產(chǎn) |
銷售的產(chǎn)品: |
SiC MOSFET Power module,基半電力電子功率模塊,基半SiC碳化硅MOSFET功率模塊,BASiCsemi,基半代理商,碳化硅功率模塊升級替代IGBT模塊,BASiC Semiconductor,電力電子,碳化硅MOSFET功率模塊,SiC碳化硅功率模塊,上海SiC MOSFET功率模塊,SiC碳化硅MOSFET上海代理,基本半導體上海代理,LLC諧振SiC碳化硅MOSFET,國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊,光伏MPPT碳化硅MOSFET,伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,逆變焊 |
采購的產(chǎn)品: |
SiC MOSFET Power module,基半SiC碳化硅功率模塊,基半SiC碳化硅MOSFET功率模塊,BASiCsemi,基半代理商,BASiC Semiconductor,碳化硅功率模塊升級替代IGBT模塊,電力電子,碳化硅MOSFET功率模塊,SiC碳化硅功率模塊,上海SiC MOSFET功率模塊,SiC碳化硅MOSFET上海代理,基本半導體上海代理,LLC諧振SiC碳化硅MOSFET,國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,光伏MPPT碳化硅MOSFET,伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,逆變焊機國 |
主營行業(yè): |
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