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基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充電樁電源模塊中的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2023-09-05        瀏覽次數(shù):6        返回列表
基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充電樁電源模塊中的應(yīng)用

傳統(tǒng)的直流充電樁拓?fù)潆娐芬话闶侨嘟涣?80V輸入電壓經(jīng)過(guò)PFC維也納 AC/DC電路后,得到直流母線電壓,然后經(jīng)過(guò)兩路全橋LLC DC/DC電路,輸出 200V到1000V高壓給新能源汽車充電使用。其中PFC維也納電路AC/DC的開(kāi)關(guān)頻率 40kHz 左右,一般用使用 650V的超結(jié)MOSFET或者 650V 的IGBT,劣勢(shì)是器件多,硬件設(shè)計(jì)復(fù)雜,效率低,失效率高。新一代直流充電樁拓?fù)潆娐窌?huì)把原來(lái)的PFC維也納整流升級(jí)為采用第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的三相全橋PFC整流。這樣將大大減少功率器件數(shù)量,簡(jiǎn)化控制電路的復(fù)雜性,同時(shí)通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低電感的感量,尺寸和成本。DC/DC全橋LLC部分,升級(jí)為采用第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的DC/DC電路,可以從原來(lái)的三電平優(yōu)化為兩電平LLC。這樣可以極大簡(jiǎn)化拓?fù)潆娐罚瑴p少元器件的數(shù)量,控制和驅(qū)動(dòng)更加簡(jiǎn)單?;诘诙鶶iC碳化硅MOSFET B2M040120Z的高頻特性,可以提高LLC電路的開(kāi)關(guān)頻率,從而減少磁性器件的尺寸和成本。由于LLC電路是軟開(kāi)關(guān)工作模式,損耗集中在開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通損耗上和關(guān)斷損耗上,第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z Eoff相對(duì)競(jìng)品更小,在高頻LLC應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯,由于拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原因,流過(guò)LLC中SiC碳化硅MOSFET的電流有效值是Si MOSFET電流的一半,所以最終導(dǎo)通損耗大大減小。新一代采用SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的直流充電樁拓?fù)潆娐房梢蕴嵘?.3~0.5%左右的效率。

LLC,移相全橋等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲(chǔ)能的大小,值越大越難實(shí)現(xiàn)ZVS;更快的關(guān)斷速度可以減少對(duì)儲(chǔ)能電感能量的消耗,影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開(kāi)關(guān)兩端電壓能達(dá)到的最低值;因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗.在這些參數(shù)方面,B2M第二代碳化硅MOSFET跟競(jìng)品比,B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小,需要的死區(qū)時(shí)間初始電流小;B2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會(huì)強(qiáng)一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競(jìng)品有較多優(yōu)勢(shì),能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來(lái)看,比起競(jìng)品,LLC,移相全橋應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會(huì)更好.
  
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
更低比導(dǎo)通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案,比導(dǎo)通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開(kāi)關(guān)損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫:第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C,提高器件高溫工作能力。
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