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適用于數(shù)據(jù)中心UPS、大功率快速充電樁的基本半導體BMF240R12E2G3全碳化硅功率模塊
發(fā)布時間:2023-09-05        瀏覽次數(shù):5        返回列表
適用于數(shù)據(jù)中心UPS、大功率快速充電樁的基本半導體BMF240R12E2G3全碳化硅功率模塊

PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊

基本半導體推出兼容EasyPACK? 2B封裝的工業(yè)級全碳化硅MOSFET功率模塊BMF240R12E2G3,該產(chǎn)品基于高性能 6英寸晶圓平臺設計,在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

產(chǎn)品優(yōu)勢

- 更穩(wěn)定導通電阻

新型內(nèi)部構造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的Rds(on)波動。

- 更優(yōu)異抗噪特性

寬柵-源電壓范圍(Vgss: -10V~+25V),及更高閾值電壓范圍(Vth: 3V~5V),便于柵極驅(qū)動設計。

- 更高可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入,改善長期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配。


應用領域:燃料電池DCDC、數(shù)據(jù)中心UPS、大功率快速充電樁等。

LLC,移相全橋等應用實現(xiàn)ZVS主要和Coss、關斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關。Coss決定所需諧振電感儲能的大小,值越大越難實現(xiàn)ZVS;更快的關斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗,影響體二極管的續(xù)流維持時間或者開關兩端電壓能達到的最低值;因為續(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗.在這些參數(shù)方面,B2M第二代碳化硅MOSFET跟競品比,B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小,需要的死區(qū)時間初始電流小;B2M第二代碳化硅MOSFET抗側向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會強一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競品有較多優(yōu)勢,能減少LLC里面Q2的硬關斷的風險。綜合來看,比起競品,LLC,移相全橋應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會更好.
  
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統(tǒng)中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開關頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。

基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎上,基本半導體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。

基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設計方案,比導通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開關損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串擾行為下誤導通的風險。

更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結溫:第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C,提高器件高溫工作能力。
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